恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)近日推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,采用2 mm x 2 mm DFN(分立式扁平无引脚)封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市,它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2 A,能够处理高达3 A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。

DFN2020-6比标准SO8封装小8倍,具有出色的热功耗能力(Ptot = 1 W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高,因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。

全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合,目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管,以及250多种高达500 V和7 A的单晶体管。

链接

• 恩智浦采用DFN2020-6封装的全新低VCEsat双晶体管:http://www.nxp.com/group/10921 

• 集电极电压最高的全新产品(PBSS4112PAN,120 V,1 A NPN/NPN):http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN 

• 饱和电压最低的全新产品(PBSS4230PANP,30 V,2 A NPN/PNP,VCEsat:60 mV):http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP 

• DFN2020-6 (SOT1118)封装信息页面:http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智慧识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构,2012年公司营业额达到43.6亿美元。更多恩智浦相关信息,请登录公司官方网站www.nxp.com查询。

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