英飞凌新一代DrMOS器件采用创新芯片嵌入式封装技术

英飞凌科技股份公司 (FSE代码:IFX/ OTCQX代码:IFNNY)近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件,它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数,能达到最高的DC/DC调压系统效率,适用于计算及电信应用,包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。

全新Blade封装技术

英飞凌创新的Blade封装技术,采用芯片嵌入概念,使用电镀制程取代标准的封装制程,例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外,芯片也以叠层薄片进行保护。其结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感,同时还降低热阻。

英飞凌低压功率转换产品资深总监Richard Kuncic表示:“英飞凌是业界第一家推出采用Blade技术的集成了驱动器及MOSFET半桥的半导体公司。DrBlade的推出可提升服务器应用在全负载范围的效率,再度证明我们在功率半导体领域的领导地位。”

节省空间,提高效率

DrBlade封装面积为5x5mm,高度仅为0.5mm,可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。DrBlade拥有优化的引脚规划,可简化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封装技术,再结合英飞凌的OptiMOS MOSFET,这使DrBlade成为低压市场的最佳稳压解决方案。

上市时间与定价

DrBlade样品已开始提供,并于2013年第二季度量产。

关于英飞凌全新Blade系列产品的更多信息,请访问: www.infineon.com/drblade

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